Вчені з Фуданського Університету встановили світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, розробивши новий пристрій флеш-пам’яті під назвою PoX. Цей пристрій може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд, що значно перевершує найшвидші сучасні технології, такі як SRAM і DRAM. Дослідники використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та прискорення розвитку технології. Вони вже шукають шляхи для комерціалізації цього пристрою. Результати дослідження були опубліковані в журналі Nature.
Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам'яті 